Samsung presentó en el FMS 2026 nuevas arquitecturas de memoria para IA, con modelos conceptuales zHBM y zNAND-O y la V10 BV-NAND de más de 400 capas.
Samsung Electronics, empresa líder mundial en tecnología de memoria avanzada, presentó hoy sus últimas innovaciones en memoria de IA en el Future of Memory and Storage (FMS) 2026, celebrado en Santa Clara, California.
Durante el evento, la compañía expuso su portafolio más reciente de memorias para sistemas de inteligencia artificial y su hoja de ruta tecnológica, basada en su experiencia en DRAM, NAND y almacenamiento empresarial, además de tecnologías avanzadas de semiconductores asociadas. Entre las novedades figuran los avances de los modelos conceptuales zHBM y zNAND-O, así como la V10 BV-NAND, descrita como “la primera de la industria de la V10 BV-NAND con más de 400 capas” y acompañada por un rango de soluciones destinadas a reforzar la infraestructura de IA del futuro.
Samsung informó también que, en el marco del FMS 2026, su stand estará inspirado en un servidor de nube para IA e incluirá la exhibición de cerca de 30 tecnologías de memoria y almacenamiento.
En el discurso de apertura participaron Jin-Yub Lee, vicepresidente ejecutivo y head de Productos y Tecnología Flash del Memory Business de Samsung, y Kyungryun Kim, vicepresidente y líder de proyecto del equipo de Diseño de DRAM. Según el programa del evento, presentaron la visión de la empresa sobre estructuras 3D de próxima generación para futuras soluciones de memoria.
La conferencia, titulada “Impulsando la ola de la revolución de la IA: innovaciones 3D en arquitectura de memoria y almacenamiento”, presentó la perspectiva de Samsung orientada a maximizar el rendimiento y la eficiencia energética de los sistemas de IA, en un contexto de creciente demanda de infraestructura de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento (HPC).
Modelos conceptuales zHBM y zNAND-O
En el FMS 2026, Samsung dio a conocer los primeros modelos conceptuales del sector de zHBM y zNAND-O como parte de su visión para la próxima generación de arquitecturas de memoria 3D.
La zHBM, diseñada para computación avanzada de IA, plantea una arquitectura en la que la memoria HBM se apila verticalmente directamente sobre los aceleradores de IA. La empresa explicó que este enfoque “va[ más allá de] los diseños convencionales en los que la HBM se coloca al lado del procesador”. Al reducir la distancia que recorren los datos entre el procesador de IA y la memoria, Samsung indicó que la zHBM se orienta a ofrecer “un mayor ancho de banda y una mejor eficiencia energética”, con el objetivo de lograr el procesamiento ultrarrápido requerido para el entrenamiento e inferencia de IA a gran escala.
Samsung señaló que, para un sistema con interfaz de próxima generación con zHBM, se espera un rendimiento aproximado “ocho veces superior” al de la HBM5. Con la tecnología de unión de wafers de próxima generación, la compañía indicó que la zHBM puede alcanzar una densidad de memoria “más de 10 veces” superior a la de la HBM5. Además, detalló que el enfoque permitiría “triplicar la eficiencia energética” y reducir la resistencia térmica en “más de la mitad”, con el fin de maximizar la estabilidad y la eficiencia energética en sistemas de alta capacidad y alto ancho de banda.
La zHBM también admite personalización para clientes. Samsung indicó que esto permite la integración de una IP personalizada en la capa intermedia entre la memoria y el acelerador de IA, ampliando capacidad de memoria y mejorando el rendimiento del acelerador. La empresa afirmó que planea optimizar la integración de procesadores de IA y memoria a través de zHBM, apoyándose en una colaboración estrecha con los clientes.
En paralelo, Samsung presentó la zNAND-O, una solución NAND de alto rendimiento de próxima generación basada en su tecnología V-NAND. Indicó que se encuentra en desarrollo en versiones de cuatro y ocho capas. La zNAND-O está orientada a entornos de IA de borde, descrita como adecuada para aplicaciones de inteligencia artificial en tiempo real y con uso intensivo de datos. Entre sus objetivos, Samsung destacó “alta eficiencia de espacio”, un rendimiento mejorado de entrada y salida (I/O) y “baja latencia”.
V10 BV-NAND y su arquitectura de bonding
Samsung dio a conocer la V10 BV-NAND con una nueva arquitectura de Bonding V-NAND. El anuncio llega 13 años después de que la compañía introdujera la primera tecnología V-NAND del sector en el Flash Memory Summit de 2013, según la información divulgada en el evento.
La V10 BV-NAND, con más de 400 capas, se presentó como una evolución que busca elevar el rendimiento y la eficiencia energética, al tiempo que incrementa significativamente la densidad de almacenamiento. Samsung atribuyó este avance a la aplicación de la tecnología de unión de wafers para apilar células de memoria, señalando que esto eleva la densidad de memoria en “aproximadamente un 58%” frente a la generación anterior (V9).
Además del incremento en capas, la compañía indicó mejoras en rendimiento de lectura, escritura y E/S respecto a la generación anterior. El objetivo declarado es habilitar NAND de alta capacidad y alto rendimiento para futuros sistemas y aplicaciones de IA.
Hoja de ruta: de HBM a PIM y almacenamiento empresarial
Como parte de su portafolio más reciente para IA, Samsung presentó memorias y soluciones de almacenamiento que incluyen HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM y PM1763, y expuso su hoja de ruta para la próxima generación de computación de IA e infraestructura de centros de datos.
En el desarrollo de la HBM4, Samsung detalló que la primera producción en masa del sector se alcanzó utilizando tecnologías de DRAM de 1c y base die de 4 nanómetros (nm). En ese marco, la empresa indicó que fue “la primera en comenzar a enviar muestras de HBM4E a clientes globales” en mayo, reforzando su liderazgo en la HBM de próxima generación. (En la información aportada por Samsung se menciona febrero como momento de la primera producción en masa.)
Junto con las muestras de HBM4E y el modelo HBM5, la compañía exhibió LPDDR5X-PIM, descrita como “la primera memoria LPDDR del sector con tecnología de procesamiento en memoria (PIM)”. Según Samsung, esta solución está diseñada para ejecutar el procesamiento de datos dentro de la propia memoria, con la finalidad de mejorar la eficiencia tanto del movimiento de datos como del consumo energético.
En almacenamiento empresarial, el FMS 2026 también incluyó exhibiciones de PM1763 y BM1773. Estas soluciones fueron presentadas como destinadas a atender las necesidades crecientes de almacenamiento en centros de datos de IA.
Estrategia integrada “turnkey” para infraestructura de IA
Samsung destacó su enfoque de soluciones integradas como fabricante integrado de dispositivos (IDM) con capacidades en memoria, foundry y empaquetado avanzado. En ese contexto, la compañía presentó una estrategia para la infraestructura de IA de próxima generación orientada a ofrecer a clientes “soluciones llave en mano” integradas.
La información divulgada señala que Samsung cubre desde el diseño del producto hasta la producción en masa, con servicios integrados de desarrollo y fabricación orientados a reducir ciclos de desarrollo y a optimizar rendimiento y eficiencia energética, con el fin de acelerar la llegada al mercado de soluciones diferenciadas de semiconductores para IA.
